IRF7204PBF和IRF7204TR

对比图

型号 IRF7204PBF IRF7204TR IRF7204

描述 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SOIC P-CH 20V 5.3ASOIC P-CH 20V 5.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 2.5 W 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 5.3A 5.30 A

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 860pF @10V(Vds) 860pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -5.30 A

产品系列 - - IRF7204

上升时间 26 ns - 26.0 ns

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.06 Ω - -

阈值电压 2.5 V - -

热阻 50℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 68 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -