对比图
描述 射频与微波晶体管130 ... 230兆赫调频模块应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130... 230 MHZ FM MODULE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PLASTIC, M122, 4Pin射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Chassis Chassis
引脚数 4 4 4
封装 - M-122 316-01
耗散功率 - 34000 mW 270 W
击穿电压(集电极-发射极) - 18 V 35 V
增益 - 12 dB 10 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @250mA, 5V 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - 34 W 100 W
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 34000 mW -
高度 - 16.26 mm -
封装 - M-122 316-01
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free