对比图
型号 2N1486 JAN2N1486 JANTX2N1486
描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) API Technologies
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-8-3 TO-8 -
极性 NPN NPN -
耗散功率 1.75 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V -
集电极最大允许电流 3A 3A -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -
最小电流放大倍数(hFE) - 35 @750mA, 4V -
额定功率(Max) - 1.75 W -
封装 TO-8-3 TO-8 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 - -