IRFP4410ZPBF和IRFP4710PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP4410ZPBF IRFP4710PBF IRFP150NPBF

描述 INFINEON  IRFP4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFP4710PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 VINFINEON  IRFP150NPBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 230 W 190 W 140 W

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0072 Ω 0.014 Ω 0.036 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 230 W 190 W 140 W

阈值电压 4 V 5.5 V 4 V

输入电容 - 6160 pF 1900 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 97A 72A 42A

上升时间 52 ns 130 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) 6160pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 190 W 160 W

下降时间 57 ns 38 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 190W (Tc) 160W (Tc)

反向恢复时间 38 ns - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -

长度 15.87 mm 15.9 mm 15.9 mm

宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.3 mm

高度 20.7 mm 20.3 mm 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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