对比图
型号 BC856AW-7 BC856W BC856AW,135
描述 Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLARNXP BC856W 晶体管 双极-射频, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 475 hFE 新TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3
引脚数 - 3 3
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 65 V - 65 V
集电极最大允许电流 0.1A - -
最小电流放大倍数(hFE) - - 125 @2mA, 5V
额定功率(Max) - - 200 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 200 mW
针脚数 - 3 -
耗散功率 - 200 mW -
直流电流增益(hFE) - 475 -
封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - - 150℃ (TJ)