1N823A和RH823-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N823A RH823-1 1N823-1

描述 Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.005 TcDO-7 6.2V 0.5W(1/2W)6.2与6.55伏温度补偿齐纳二极管基准二极管 6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 分立器件齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-7 DO-35-2

容差 - - ±5 %

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 - 7.5 mA 7.5 mA

稳压值 - 6.2 V 6.2 V

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - - 5.08 mm

封装 - DO-7 DO-35-2

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

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