TLV2770AIDR和TLV2770CD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2770AIDR TLV2770CD TLV2770CDR

描述 IC OPAMP GP 5.1MHz RRO 8SOIC家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 - 0.725 W 725 mW

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 - 5.10 MHz 5.10 MHz

转换速率 10.5 V/μs 10.5 V/μs 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

过温保护 - No No

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) - 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

输出电流 - ≤50 mA -

共模抑制比 - 70 dB -

电源电压(Max) - 6 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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