BZM55C6V8和BZX384C6V8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZM55C6V8 BZX384C6V8 BZX384-C6V8

描述 硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes齐纳二极管 300mW,BZX384 系列,Nexperia齐纳电压容差为 2% (BZX384-B) 和大约 5% (BZX384-C) 表面安装外壳:SOD-323 (SC-76)### 齐纳二极管,Nexperia

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 MicroMELF - UMD

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW - -

稳压值 6.8 V - 6.8 V

测试电流 - - 5 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 MicroMELF - UMD

长度 - - 1.8 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1.05 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

温度系数 - - 3 mV/℃

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