IRF5210和IRF5210LPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5210 IRF5210LPBF AUIRF5210STRL

描述 TO-220AB P-CH 100V 40AINFINEON  IRF5210LPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, 4 V晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-262-3 TO-252-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.06 Ω 60 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 200 W 200 W 3.1 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 -100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 38A 38A

上升时间 86.0 ns 63 ns 63 ns

输入电容(Ciss) - 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

下降时间 - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)

额定功率 - 200 W -

额定功率(Max) - 3.1 W -

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -40.0 A - -

产品系列 IRF5210 - -

长度 - 10.54 mm 6.5 mm

宽度 - 4.69 mm 6.22 mm

高度 - 10.54 mm 2.3 mm

封装 TO-220 TO-262-3 TO-252-3

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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