BSS129和ZVN2106A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS129 ZVN2106A 2N7002K

描述 SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Depletion mode High dynamic resistance)DIODES INC.  ZVN2106A  晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V小信号MOSFET 60 V 380 mA时,单N通道, SOT -23 Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 450 mA -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 2 Ω 2 Ω

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 700 mW 350 mW

阈值电压 - 2.4 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 450 mA 0.38A

输入电容(Ciss) - 75pF @18V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 700 mW 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 700mW (Ta) 350 mW

上升时间 - - 9 ns

下降时间 - - 29 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - TO-92-3 SOT-23-3

长度 - - 2.92 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 1.2 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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