BSP61,115和BSP61E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP61,115 BSP61E6327HTSA1

描述 NXP  BSP61,115  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFESOT-223 PNP 60V 1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 4 -

耗散功率 1.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - -

额定功率(Max) 1.25 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 1000 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

增益带宽 200 MHz -

耗散功率(Max) 1.25 W -

极性 PNP PNP

集电极最大允许电流 1A 1A

长度 6.7 mm -

宽度 3.7 mm -

高度 1.7 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - -

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