对比图
描述 NXP BSP61,115 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFESOT-223 PNP 60V 1A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 -
封装 TO-261-4 TO-261-4
针脚数 4 -
耗散功率 1.25 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - -
额定功率(Max) 1.25 W 1.5 W
直流电流增益(hFE) 1000 -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
增益带宽 200 MHz -
耗散功率(Max) 1.25 W -
极性 PNP PNP
集电极最大允许电流 1A 1A
长度 6.7 mm -
宽度 3.7 mm -
高度 1.7 mm -
封装 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 - -