对比图
型号 IRFP260MPBF IRFP260NPBF IRFP260
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 50.0 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.04 Ω 0.04 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 300 W 300 W 280 W
产品系列 - IRFP260N -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 4057pF @25V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 50A 50.0 A -
上升时间 60 ns 60.0 ns -
热阻 - 0.5℃/W (RθJC) -
输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 4057pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 280W (Tc)
额定功率 300 W - -
下降时间 48 ns - -
长度 16.13 mm 15.9 mm -
高度 21.1 mm 20.3 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
宽度 5.2 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 -
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 - - EAR99