对比图
型号 2N2907AUBC JAN2N2907AUB JANS2N2907AUB
描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR高可靠性60 V ， 0.6 A PNP晶体管 Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
封装 UB UB -
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 4 -
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
耗散功率 - 0.5 W -
输入电容 - 30 pF -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
封装 UB UB -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Pack -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - Contains Lead -
材质 - Silicon -