IRFB4115PBF和IRFB4321PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4115PBF IRFB4321PBF IRFB33N15DPBF

描述 INFINEON  IRFB4115PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 150 V, 0.0093 ohm, 20 V, 5 VINFINEON  IRFB4321PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 15 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 150 V

额定电流 - - 33.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0093 Ω 0.015 Ω 56 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 380 W 330 W 3.8 W

产品系列 - - IRFB33N15D

阈值电压 5 V 5 V 5.5 V

输入电容 5270 pF - 2020pF @120V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V - 150 V

连续漏极电流(Ids) 104A 85A 33.0 A

上升时间 73 ns 60 ns 38.0 ns

输入电容(Ciss) 5270pF @50V(Vds) 4460pF @50V(Vds) 2020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 380 W 350 W 3.8 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 380 W 330 W -

下降时间 39 ns 35 ns -

耗散功率(Max) 380000 mW 350W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.66 mm 10.54 mm

高度 9.02 mm 9.02 mm 15.24 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.83 mm 4.82 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台