PZT2222AT1G和PZT2907A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT2222AT1G PZT2907A PZT2222A

描述 ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFEPZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223/TO-261AA marking/标记 2907A 开关和放大FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT2222A  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 300 MHz 200 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 600 mA - 1.00 A

针脚数 4 3 4

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 1.5 W 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 40 V

热阻 83.3℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1 W 1 W

直流电流增益(hFE) 300 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1 W 1000 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - 300 300

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.56 mm

高度 1.57 mm 1.7 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 1000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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