IS42RM16200C-75BLI和IS42VM16200C-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42RM16200C-75BLI IS42VM16200C-75BLI IS42RM16200D-75BLI

描述 动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, ITDRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT32m, 2.5V, Mobile Sdram, 2mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 54 54

封装 TFBGA-54 BGA-54 TFBGA-54

位数 - 16 16

存取时间 6 ns 6 ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V 1.7V ~ 1.95V 2.3V ~ 2.7V

存取时间(Max) - 6ns, 8ns -

电源电压(Max) - 1.95 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 - - 0.8 mm

封装 TFBGA-54 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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