JAN1N5520B-1和JANTXV1N5520B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5520B-1 JANTXV1N5520B MZ5520BRL

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW3.9V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 DO-204AH DO-35 -

耗散功率 - 500 mW -

稳压值 3.9 V 3.9 V -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

额定功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-204AH DO-35 -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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