对比图
型号 199D475X9010A1V1E3 199D475X9010A2B1E3 199D475X9010A2V1E3
描述 199D 系列 4.7 uF ±10 % 10 V 径向 固体 电解质钽电容Cap Tant Solid 4.7uF 10V 10% (4.4 X 7.11mm) Radial 2.54mm 125℃ T/RCap Tant Solid 4.7uF 10V 10% (4.4 X 7.11mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 钽电容钽电容钽电容
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 - -
封装 Radial - -
额定电压(DC) 10.0 V - -
电容 4.7 µF 4.7 µF 4.7 µF
容差 ±10 % ±10 % ±10 %
工作温度(Max) 85 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
额定电压 10 V 10 V 10 V
高度 7.11 mm - -
封装 Radial - -
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free