对比图
型号 FDC636P NTUD3170NZT5G NTUD3169CZT5G
描述 P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963ON SEMICONDUCTOR NTUD3169CZT5G. 场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 负载控制器MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 SOT-963-6
通道数 - - 2
针脚数 - 6 6
漏源极电阻 130 mΩ 0.75 Ω 0.75 Ω
极性 P-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.6 W 125 mW 125 mW
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -2.80 A 280 mA 280 mA
输入电容(Ciss) 390pF @10V(Vds) 12.5pF @15V(Vds) 12.5pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 125 mW 125 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 0.2 W 200 mW
输入电容 390 pF 12.5 pF -
上升时间 26 ns 25.5 ns -
下降时间 26 ns 80 ns -
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -2.80 A - -
输出接口数 1 - -
栅电荷 6.00 nC - -
漏源击穿电压 -20.0 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 2.9 mm 1.05 mm 1.05 mm
宽度 1.6 mm 0.85 mm 0.85 mm
高度 1.1 mm 0.4 mm 0.4 mm
封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 SOT-963-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - NLR -