IXFN106N20和STE140NF20D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN106N20 STE140NF20D APT5010JN

描述 SOT-227B N-CH 200V 106ASTMICROELECTRONICS  STE140NF20D  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 200 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Chassis Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 500 V

上升时间 80.0 ns 218 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds) 5570pF @25V(Vds)

下降时间 - 250 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 521W (Tc) 500W (Tc) 520000 mW

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 106 A - -

额定功率 520 W - -

漏源极电阻 20.0 mΩ 0.01 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 520 W 500 W -

连续漏极电流(Ids) 106 A - -

额定功率(Max) 520 W 500 W -

针脚数 - 4 -

阈值电压 - 3 V -

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227

高度 - 9.1 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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