对比图
型号 2N4398 TIP42B 2N4399
描述 NTE ELECTRONICS 2N4398 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100V, 2MHz, 200W, 30A, 25 hFELeaded Power Transistor General PurposeoTrans Pnp 60V 30A To-3
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Central Semiconductor Central Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-204 TO-220-3 TO-204
引脚数 2 - -
耗散功率 200 W - 200 W
增益频宽积 - - 4 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @300mA, 4V 15 @15A, 2V
额定功率(Max) - 65 W 5 W
极性 PNP - -
直流电流增益(hFE) 25 - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
封装 TO-204 TO-220-3 TO-204
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free