THS4225D和THS4225DG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4225D THS4225DG4 THS4225DR

描述 低失真,高速,轨到轨输出运算放大器 LOW-DISTORTION, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS低失真,高速,轨到轨输出运算放大器 LOW-DISTORTION, HIGH-SPEED, RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSOP Amp Single Volt Fdbk R-R O/P ±7.5V/15V 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 14 mA 14 mA 14 mA

电路数 1 1 1

带宽 230 MHz 120 MHz 120 MHz

转换速率 990 V/μs 990 V/μs 990 V/μs

增益频宽积 120 MHz 120 MHz 120 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 900 nA 900 nA 900 nA

3dB带宽 230 MHz 230 MHz 230 MHz

输出电流 95mA @5V 95mA @5V -

通道数 1 1 -

耗散功率 1.02 W 1020 mW -

共模抑制比 74 dB 74dB ~ 94dB -

输入补偿漂移 20.0 µV/K 20.0 µV/K -

可用通道 S, D S, D -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW -

共模抑制比(Min) 74 dB 74 dB -

电源电压(Max) - 15 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

增益带宽 120 MHz - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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