MC100LVEP11DG和SN65LVEP11D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC100LVEP11DG SN65LVEP11D MC100ES6011EF

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC100LVEP11DG  差分线路驱动器TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVEP11D  逻辑芯片, 扇出缓冲器2.5V/3.3V ECL 1: 2 2.5V/3.3V ECL 1: 2 Differential Fanout Buffer

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 3 GHz 3 GHz -

电源电压(DC) 2.38V (min) 2.50 V, 3.30 V -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出接口数 2 2 2

输出电流 50.0 mA - -

供电电流 38.0 mA 28.0 mA -

电路数 1 1 1

针脚数 8 8 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.375V ~ 3.8V 2.375V ~ 3.8V 2.375V ~ 3.8V

电源电压(Max) 3.8 V 3.8 V 3.8 V

电源电压(Min) 2.375 V 2.375 V 2.375 V

耗散功率 - 840 mW -

耗散功率(Max) - 840 mW -

长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.91 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

厚度 - - 1.50 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 5A991.b.1 -

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