IRFB41N15D和IRFB41N15DPBF

对比图

型号 IRFB41N15D IRFB41N15DPBF IRFB41N15DTRRPBF

描述 TO-220AB N-CH 150V 41AINFINEON  IRFB41N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 150 V, 45 mohm, 10 V, 5.5 VPower Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定功率 - 200 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 200W (Tc) 200 W -

阈值电压 - 5.5 V -

输入电容 - 2520 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

漏源击穿电压 150 V 150 V -

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 41A -

上升时间 63 ns 63 ns -

输入电容(Ciss) 2520pF @25V(Vds) 2520pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

下降时间 14 ns 14 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) -

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 41.0 A - -

产品系列 IRFB41N15D - -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -