对比图
型号 FDP5N50 IRF830PBF IRF830APBF
描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFET功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - -
漏源极电阻 1.4 Ω 1.5 Ω 1.4 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 85 W 74 W 74 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 5A 4.50 A 5.00 A
上升时间 22 ns 16 ns 21.0 ns
输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 85 W 74 W 74 W
下降时间 20 ns 16 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 85W (Tc) 74000 mW 74 W
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 4.50 A 5.00 A
额定功率 - 74 W -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4.5 V
输入电容 - 610 pF 620 pF
栅电荷 - 38.0 nC 24.0 nC
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.67 mm - 10.41 mm
宽度 4.7 mm - 4.7 mm
高度 16.3 mm - 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC