1N4101C-1和JAN1N4101

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4101C-1 JAN1N4101 1N4101-1

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener Single 8.2V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 0.5 W

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

测试电流 - - 0.25 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

含铅标准 - Contains Lead -

RoHS标准 - - Non-Compliant

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