IXFK420N10T和IXFX420N10T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK420N10T IXFX420N10T

描述 N沟道 100V 420ASingle N-Channel 100V 1670W 670NC Through Hole Power Mosfet - PLUS247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-247-3

引脚数 - 3

极性 N-CH -

耗散功率 1670W (Tc) 1670W (Tc)

阈值电压 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 420A -

输入电容(Ciss) 47000pF @25V(Vds) 47000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 1670W (Tc) 1670W (Tc)

上升时间 - 155 ns

下降时间 - 255 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

宽度 5.13 mm 5.21 mm

封装 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台