CW02B1K000JE12和WND1K0FET

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CW02B1K000JE12 WND1K0FET

描述 VISHAY  CW02B1K000JE12  绕线电阻, 1千欧 5% 3WOHMITE  WND1K0FET  绕线电阻, 1KΩ, 3W, ±1%

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Ohmite

分类 插件电阻插件电阻

基础参数对比

安装方式 Through Hole Axial

封装 Axial Leaded Axial Leaded

额定功率 3 W 3 W

电阻 1 kΩ 1 kΩ

阻值偏差 ±5 % ±1 %

产品系列 - WN

封装 Axial Leaded Axial Leaded

长度 - 13.54 mm

直径 - Φ5.50mm

工作温度 -65℃ ~ 250℃ -55℃ ~ 150℃

温度系数 ±30 ppm/℃ ±20 ppm/℃

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 - 1000

HTS代码 - 8533210080

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