对比图
型号 2N638 JAN2N6384 2N6385
描述 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,Trans Darlington NPN 60V 10A 3Pin(2+Tab) TO-3NTE ELECTRONICS 2N6385 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80V, 150W, 10A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 API Technologies Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-204 TO-3
引脚数 - - 2
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 3V -
额定功率(Max) - 6 W -
极性 - - NPN
耗散功率 - - 150 W
直流电流增益(hFE) - - 1000
工作温度(Max) - - 200 ℃
封装 - TO-204 TO-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - -