PSMN3R5-30YL,115和RJK0301DPB-00#J0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN3R5-30YL,115 RJK0301DPB-00#J0 RJK0305DPB-00#J0

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RN沟道 30V 60ATrans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

引脚数 4 - -

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 60.0 A 30.0 A

耗散功率 74 W 65 W 45 W

输入电容 - 5.00 nF 1.25 nF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 100 A 60.0 A 30.0 A

输入电容(Ciss) 2458pF @12V(Vds) 5000pF @10V(Vds) 1250pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 65 W 45 W

极性 N-Channel - -

耗散功率(Max) 74W (Tc) - -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

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