70T653MS12BCGI和IDT70T653MS12BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T653MS12BCGI IDT70T653MS12BCI 70T3539MS133BC

描述 512K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sHIGH -SPEED 2.5V 512K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACESRAM Chip Sync Dual 2.5V 18M-Bit 512K x 36 15ns/4.2ns 256Pin CABGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 CABGA-256 LBGA-256 LBGA-256

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 256 - 256

封装 CABGA-256 LBGA-256 LBGA-256

长度 17 mm - 17.0 mm

宽度 17 mm - 17.0 mm

高度 1.4 mm - -

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

存取时间 12 ns - 4.2 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 2.4V ~ 2.6V

电源电压(Max) 2.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

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