对比图
描述 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP DarlingtonsNPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS TIP115 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 2 W, 5 A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -45.0 V 100 V -60.0 V
额定电流 -4.00 A 6.00 A -2.00 A
极性 PNP NPN PNP, P-Channel
耗散功率 40 W 65 W 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 100 V 60 V
集电极最大允许电流 4A 6A -
最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 15 @3A, 4V 1000 @1A, 4V
额定功率(Max) 40 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 14000 mW 2000 mW 2000 mW
频率 - 3 MHz -
针脚数 - 3 3
增益频宽积 - 3 MHz -
热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -
直流电流增益(hFE) - 3 1000
长度 7.74 mm 10.28 mm 10.4 mm
宽度 2.66 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 11.04 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99 EAR99