JANTX2N3501和JANTXV2N3501

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N3501 JANTXV2N3501 JAN2N3501

描述 Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin TO-39NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-205

安装方式 - Through Hole Through Hole

耗散功率 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V 150 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.3A -

封装 TO-39 TO-39 TO-205

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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