APT10026JFLL和APT10026JLL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10026JFLL APT10026JLL APT10025JVFR

描述 SOT-227 N-CH 1000V 30ATrans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 - 4

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 30.0 A 30.0 A 34.0 A

极性 N-CH - -

耗散功率 595 W - 700 W

输入电容 7.11 nF 7.11 nF 18.0 nF

栅电荷 267 nC 267 nC 990 nC

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1.00 kV

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 34.0 A

上升时间 8 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 7114pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns - 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 595000 mW - 700000 mW

额定功率(Max) - 595 W -

封装 SOT-227 SOT-227 SOT-227

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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