对比图
型号 SI2302ADS-T1-E3 SI2302DS SI2302CDS-T1-GE3
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 2.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.7WN-channel enhancement mode field-effect transistorTRANSISTOR 2600mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Philips (飞利浦) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 - SOT-23-3
漏源极电阻 0.045 Ω - 57 mΩ
耗散功率 0.7 W - 710 mW
阈值电压 950 mV - 850 mV
漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V
上升时间 80 ns - 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 700mW (Ta) - 710mW (Ta)
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 20 V - -
连续漏极电流(Ids) 2.40 A, 2.10 A - -
输出功率 700 mW - -
热阻 140℃/W (RθJA) - -
输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) - -
下降时间 25 ns - -
封装 SOT-23-3 - SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2014/06/16
REACH SVHC标准 No SVHC - -