对比图
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFETVISHAY SILICONIX IRF830PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 4.50 A -
耗散功率 - 100 W 74 W
输入电容 - 610 pF -
栅电荷 - 30.0 nC -
漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 4.50 A -
上升时间 - 8 ns 16 ns
输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)
下降时间 - 5 ns 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 74W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1.5 Ω
阈值电压 - - 4 V
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
封装 - TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free