LMC660CN和LMC660AIN/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC660CN LMC660AIN/NOPB TLC2274AINE4

描述 CMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational AmplifierTEXAS INSTRUMENTS  LMC660AIN/NOPB.  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, DIP-14高级LinCMOSTM轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOSTM RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 DIP-14 PDIP-14

输出电流 - 22mA @5V ≤50 mA

供电电流 - 1.5 mA 4.8 mA

电路数 - 4 4

通道数 - 4 4

共模抑制比 63 dB 70 dB 70dB ~ 75dB

输入补偿漂移 - 1.30 µV/K 2.00 µV/K

带宽 500 kHz 1.4 MHz 2.18 MHz

转换速率 - 1.10 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 2.18 MHz

过温保护 - - No

输入补偿电压 6 mV 1 mV 300 µV

输入偏置电流 0.000002 nA 0.002 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 55 ℃

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 4.4 V

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz -

电源电压 5V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V -

针脚数 - 14 -

长度 - 19.56 mm 19.3 mm

宽度 - 6.35 mm 6.35 mm

高度 - 5.08 mm 4.57 mm

封装 DIP-14 DIP-14 PDIP-14

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/06/15 -

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