对比图
型号 IXFX24N100Q3 IXTX24N100 IXFK24N100Q3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N-Channel 1000V 24A 400mΩ Through Hole Power Mosfet - PLUS-247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
耗散功率 1000W (Tc) 568 W 1 kW
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1 kV
上升时间 24 ns 35 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 7200pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 21 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000W (Tc) 568W (Tc) 1000W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.44 Ω
极性 N-CH - N-Channel
阈值电压 - - 6.5 V
连续漏极电流(Ids) 24A - 24A
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
长度 16.13 mm - 19.96 mm
宽度 5.21 mm - 5.13 mm
高度 21.34 mm - 26.16 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20