BLV94和SD1411

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLV94 SD1411 BLV193

描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSUHF power transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Philips (飞利浦)

分类

基础参数对比

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -

集电极最大允许电流 - 40A -

产品生命周期 Unknown Obsolete -

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