STB20NM50和STB20NM50FDT4

对比图

型号 STB20NM50 STB20NM50FDT4 STB20NM50FD

描述 N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFETD2PAK N-CH 500V 20AN沟道500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET，具有快速二极管 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET With FAST DIODE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 250 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 192 W -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A -

上升时间 - 20 ns -

输入电容(Ciss) - 1380pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 192 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 192W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

宽度 - 9.35 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - 150℃ (TJ) -