IS61LPS51236B-200B3LI和IS61LPS51236B-200B3LI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LPS51236B-200B3LI IS61LPS51236B-200B3LI-TR IS61LPS51236A-250B3

描述 SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165Pin TFBGASRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3ns 165Pin TFBGA T/R静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 TBGA-165 TBGA-165 TBGA-165

位数 36 36 -

存取时间 3 ns 3 ns 2.6 ns

存取时间(Max) 3 ns 3 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) 3.465 V - -

电源电压(Min) 3.135 V - -

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 - - 250MHz (max)

内存容量 - - 18000000 B

封装 TBGA-165 TBGA-165 TBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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