VB20150S-E3/8W和VB20150S-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VB20150S-E3/8W VB20150S-E3/4W

描述 TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.55 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 肖特基二极管整流二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 1.43V @20A 1.43V @20A

正向电流 20 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 160 A -

正向电流(Max) 20 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -

长度 10.45 mm 10.45 mm

宽度 9.14 mm 9.14 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

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