IRF9953TR和IRF9953TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9953TR IRF9953TRPBF IRF7504TRPBF

描述 SOIC P-CH 30V 2.3AHEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRF7504TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -700 mV 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 Micro-8

引脚数 - 8 8

极性 P-CH P-CH Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.3A 1.7A

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 1.25 W

额定功率 - 2 W 1.25 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.165 Ω 0.27 Ω

耗散功率 - 2 W 1.25 W

阈值电压 - 1 V 700 mV

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 1.25 W

输入电容 - 190 pF -

上升时间 - 14 ns -

下降时间 - 6.9 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 Micro-8

长度 - 5 mm 3 mm

宽度 - 4 mm 3 mm

高度 - 1.5 mm 0.86 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司