2N1893S和JAN2N3499

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1893S JAN2N3499 2N1893

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR2N 系列 100 V 500 mA NPN 通孔 硅 晶体管 - TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-5-3 TO-205 TO-39-3

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 20

额定功率(Max) 3 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 1000 mW -

耗散功率 - - 800 mW

封装 TO-5-3 TO-205 TO-39-3

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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