对比图
型号 IXGK320N60B3 IXGX320N60B3 IXBF55N300
描述 IGBT 模块 GenX3 600V IGBTsIGBT PT 600V 500A 1700W 通孔 PLUS247™-3IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-264-3 TO-247-3 ISOPLUS i4-PAK-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 1.7 kW 1.7 kW 357 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -
额定功率(Max) 1700 W 1700 W -
耗散功率(Max) 1700000 mW 1700000 mW -
封装 TO-264-3 TO-247-3 ISOPLUS i4-PAK-3
长度 19.96 mm 16.13 mm -
宽度 5.13 mm 5.21 mm -
高度 26.16 mm 21.46 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -