IRFR1N60ATR和IRFR1N60ATRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR1N60ATR IRFR1N60ATRPBF IRFR1N60ATRRPBF

描述 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAKTrans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 36W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 229pF @25V(Vds) 229pF @25V(Vds) 229pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 36 W -

耗散功率(Max) 36W (Tc) 36W (Tc) 36W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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