OPA727AIDRBT和OPA727AIDRBTG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA727AIDRBT OPA727AIDRBTG4 OPA727AIDRBR

描述 电子微调20MHz ,高精度CMOS e-trim 20MHz, High Precision CMOS电子微调20MHz ,高精度CMOS e-trim 20MHz, High Precision CMOSIC OPAMP GP 20MHz RRO 8SON

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VDFN-8 VSON EP-8 DFN-8

电源电压(DC) - 12.0 V -

输出电流 - 40mA @12V -

供电电流 4.3 mA 4.3 mA 4.3 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 86 dB 86 dB 86 dB

输入补偿漂移 600 nV/K 600 nV/K 300 nV/K

带宽 20 MHz 20.0 MHz -

转换速率 30.0 V/μs 30.0 V/μs 30.0 V/μs

增益频宽积 20 MHz 20 MHz 20 MHz

输入补偿电压 15 µV 15 µV 15 µV

输入偏置电流 85 pA 85 pA 85 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 86 dB

电源电压(Max) - 12 V 12 V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

增益带宽 20 MHz - -

电源电压 4V ~ 12V - -

封装 VDFN-8 VSON EP-8 DFN-8

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - - 0.88 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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