BAS70LT1G和BAS70W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS70LT1G BAS70W,115 BAS70LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS70LT1G  小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °CNXP  BAS70W,115  小信号肖特基二极管, 单, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C70伏肖特基势垒二极管 70 VOLTS SCHOTTKY BARRIER DIODES

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 30.0 mA - 30.0 mA

电容 2.00 pF - 2.00 pF

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 ≤20.0 mA 24.0 mA ≤20.0 mA

针脚数 3 3 -

正向电压 1 V 1V @15mA 1V @15mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 225 mW - -

正向电流 70 mA 70 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 mA 100 mA -

正向电压(Max) 1 V 1 V 1V @15mA

正向电流(Max) 70 mA 70 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 225 mW - -

逻辑门个数 - 4 -

热阻 - 625℃/W (RθJA) -

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1.01 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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