对比图
型号 CY7C1318KV18-250BZI CY7C1318KV18-250BZXI CY7C1318KV18-250BZXC
描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18 18
存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - - 1.9 V
电源电压(Min) - - 1.7 V
供电电流 - 380 mA -
时钟频率 - 250 MHz -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a