对比图
型号 IXFH42N50P2 IXTX46N50L IXFT42N50P2
描述 N沟道 500V 42ATrans MOSFET N-CH 500V 46A 3Pin(3+Tab) PLUS 247TO-268 N-CH 500V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 145 mΩ 160 mΩ -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 830 W 700 W 830 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 42A - 42A
上升时间 12 ns 50 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
下降时间 9 ns 42 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 700W (Tc) 830W (Tc)
阈值电压 - 6 V -
额定功率(Max) - 700 W 830 W
输出接口数 - - 1
输出电压 - - 500 V
输出电流 - - 42 A
供电电流 - - 42 A
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free